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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：380 ns
上升时间：70 ns
功率耗散：1250 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：70 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSST-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Hex Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：30 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
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