RSD080P05TL

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: CPT3
数量：: 6399
说明：: MOSFET P-CH 45V 8A CPT3

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：15W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11000 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：93.4 nC @ 5 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：91 毫欧 @ 8A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Ta）
漏源电压（Vdss）：45 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：P 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Rohm Semiconductor

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