RS6L090BGTB1

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-HSOP
数量：: 918
说明：: NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

一、本商品被浏览0次.

RS6L090BGTB1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），73W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1950 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 90A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：90A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RS6L090BGTB1的详细信息，包括RS6L090BGTB1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：