RS1P600BETB1

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-HSOP
数量：: 1332
说明：: MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），35W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：33 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9，7 毫欧 @ 17，5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17，5A（Ta），60A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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