RS1L120GNTB

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 8-HSOP
数量：: 414
说明：: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1330 pF @ 30 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 200μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：12.7mOhm @ 12A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Ta），36A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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