RS1JDF-13

厂家：: Diodes Incorporated
封装：: D-Flat
数量：: 3411
说明：: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

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RS1JDF-13 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：D-Flat
封装/外壳：2-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：6pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：250 ns
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.3 V @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io)：1A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Diodes Incorporated

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