RN1961(TE85L,F)

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: US6
数量：: 7883
说明：: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

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中文参数如下：
封装封装/外壳：表面贴装型
功率 - 最大值：200mW
频率 - 跃迁：250MHz
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V
电阻器 - 发射极 (R2)：4.7 千欧
电阻器 - 基极 (R1)：4.7 千欧
电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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