RFS30TZ6SGC13

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-247GE
数量：: 2502
说明：: DIODE GEN PURP 650V 30A TO247GE

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RFS30TZ6SGC13 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-247GE
封装/外壳：TO-247-2
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：35 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：2.3 V @ 30 A
电流 - 平均整流 (Io)：30A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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