R6030JNZC8

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-3PF
数量：: 3341
说明：: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

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R6030JNZC8 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：93W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2500 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：74 nC @ 15 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：7V @ 5.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：143 毫欧 @ 15A，15V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：Rohm Semiconductor

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