R6025JNZC8

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-3PF
数量：: 3217
说明：: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

一、本商品被浏览0次.

R6025JNZC8 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：85W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1900 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57 nC @ 15 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：7V @ 4.5mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：182 毫欧 @ 12.5A，15V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：袋
品牌：Rohm Semiconductor

以上是R6025JNZC8的详细信息，包括R6025JNZC8厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：