R6008FNJTL

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: LPTS
数量：: 1962
说明：: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS

一、本商品被浏览0次.

R6008FNJTL PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：580 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：950 毫欧 @ 4A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是R6008FNJTL的详细信息，包括R6008FNJTL厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：