QS8M12TCR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TSMT8
数量：: 5958
说明：: MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：8-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.5W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：250pF @ 10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.4nC @ 5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：42 毫欧 @ 4A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A
漏源电压（Vdss）：30V
FET 功能：逻辑电平门
配置：N 和 P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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