QS8J11TCR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TSMT8
数量：: 5940
说明：: MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：550mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2600pF @ 6V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：43 毫欧 @ 3.5A，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A
漏源电压（Vdss）：12V
FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
配置：2 个 P 沟道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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