QH8KB5TCR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TSMT8
数量：: 7780
说明：: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, TSMT8, S

一、本商品被浏览0次.

QH8KB5TCR PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：
封装封装/外壳：8-SMD，扁平引线
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：1.1W（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：150pF @ 20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：3.5nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 4.5A，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.5A（Ta）
漏源电压（Vdss）：40V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（双）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

以上是QH8KB5TCR的详细信息，包括QH8KB5TCR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：