PSMN5R5-60YS,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 LFPAK56,Power-SO8
数量:
 2403  
说明:
 MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET
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PSMN5R5-60YS,115 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:44 ns
工厂包装数量:1500
上升时间:24 ns
功率耗散:130 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:56 nC
下降时间:14 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-669
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):8.3 mOhms
漏极连续电流:100 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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