PSMN4R6-60PS,127

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-220AB
数量：: 3780
说明：: MOSFET N-CH 60V STD LEVEL MOSFET

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PSMN4R6-60PS,127 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：58 ns
工厂包装数量：50
上升时间：24 ns
功率耗散：211 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：70.8 nC
下降时间：22 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8.4 mOhms
漏极连续电流：100 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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