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PSMN028-100YS,115

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 SC-100，SOT-669
数量：
 4848  
说明：
 MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET
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PSMN028-100YS,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：33 ns
工厂包装数量：1500
上升时间：14 ns
功率耗散：89 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：33 nC
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-669
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：52 mOhms
漏极连续电流：42 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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