PMDT290UCE,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 SOT-666
数量:
 12673  
说明:
 MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET
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中文参数如下:

工厂包装数量:4000
上升时间:4 ns, 30 ns
功率耗散:330 mW
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:0.45 nC, 0.76 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1.6 S
下降时间:31 ns, 72 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-666
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.29 Ohms, 0.67 Ohms
漏极连续电流:800 mA, - 550 mA
闸/源击穿电压:8 V
汲极/源极击穿电压:20 V, - 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

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