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PESD3V3X1BL,315

厂家：
  NXP Semiconductors
封装：
 DFN1006-2
数量：
 131904  
说明：
 TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 Ultra LW capacitance BIDI ESD Protect dio
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PESD3V3X1BL,315-DFN1006-2图片

PESD3V3X1BL,315 PDF参数资料

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中文参数如下：

端接类型：SMD/SMT
工厂包装数量：10000
包装形式：Reel
尺寸：0.62 mm W x 1.02 mm L x 0.5 mm H
电容：1.3 pF
最大工作温度：+ 150 C
最小工作温度：- 55 C
封装形式：SOD-882
击穿电压：6.3 V
极性：Bidirectional
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PESD3V3X1BL,315的详细信息，包括PESD3V3X1BL,315厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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