PBHV8118T,215

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: TO-236AB
数量：: 28251
说明：: 两极晶体管 - BJT 180V 1A NPN HI VLTGE LO VCESAT TRANSISTOR

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：300 mW
直流电流增益 hFE 最大值：250
集电极连续电流：1 A
封装形式：TO-236AB
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50
增益带宽产品fT：30 MHz
最大直流电集电极电流：2 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：180 V
集电极—基极电压 VCBO：400 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
制造商：NXP

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