NVMYS003N08LHTWG

厂家:
  onsemi
封装:
 LFPAK4(5x6)
数量:
 2133  
说明:
 T8 80V LL LFPAK
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NVMYS003N08LHTWG PDF参数资料

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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),137W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3735 pF @ 40 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):64 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 183μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A(Ta),132A(Tc)
漏源电压(Vdss):80 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi

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