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NVDS015N15MCT4G

厂家：: onsemi
封装：: DPAK
数量：: 3951
说明：: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE

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NVDS015N15MCT4G PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），107.1W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2120 pF @ 75 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：27 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 162μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15 毫欧 @ 29A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.5A（Ta），61.3A（Tc）
漏源电压（Vdss）：150 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：PowerTrench?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：onsemi

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