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NTP5860NG

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-220
数量：
 7137  
说明：
 MOSFET
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NTP5860NG-TO-220图片

NTP5860NG PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：283 W
最小工作温度：- 55 C
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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