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NTMS4177PR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 8564
说明：: MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：64 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：13 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降时间：36 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 mOhms
漏极连续电流：- 11.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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