NTMD6N03R2G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 6687  
说明:
 MOSFET NFET 30V SPCL TR
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NTMD6N03R2G-8-SOIC图片

NTMD6N03R2G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:22 ns, 45 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:27 ns, 22 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :10 S
下降时间:34 ns, 45 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.032 Ohms
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTMD6N03R2G的详细信息,包括NTMD6N03R2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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