NTLJF3117PT1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 6-WDFN 裸露焊盘
数量:
 27950  
说明:
 MOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM
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NTLJF3117PT1G-6-WDFN 裸露焊盘图片

NTLJF3117PT1G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:13.7 ns, 19.8 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:13.2 ns, 15 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :3.1 S
下降时间:13.2 ns, 15 ns
包装形式:Reel
封装形式:WDFN-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):100 m Ohms
漏极连续电流:- 3.3 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

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