首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NIMD6302R2

NIMD6302R2

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOIC-8
数量：: 8316
说明：: MOSFET NFET S08D 30V .050R

一、本商品被浏览0次.

NIMD6302R2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35.9 ns, 66.5 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：56.5 ns, 2.7 ns
功率耗散：1.3 W
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：19.8 S
下降时间：56.5 ns, 2.7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
漏极连续电流：6.5 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NIMD6302R2的详细信息，包括NIMD6302R2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：