NGTB03N60R2DT4G

厂家：: onsemi
封装：: DPAK
数量：: 504
说明：: IGBT 9A 600V DPAK

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NGTB03N60R2DT4G PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
工作温度：175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：65 ns
测试条件：300V，3A，30 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：27ns/59ns
栅极电荷：17 nC
输入类型：标准
开关能量：50μJ（开），27μJ（关）
功率 - 最大值：49 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，3A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：12 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：9 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
IGBT 类型：-
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：onsemi

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