
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
安装风格:SMD/SMT
封装形式:M03
直流集电极/Base Gain hfe Min:145
功率耗散:0.125 W
集电极连续电流:0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:12 V
最大工作频率:4 GHz
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频双极小信号晶体管
制造商:CEL
以上是NE856M03-A的详细信息,包括NE856M03-A厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!