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NDT456P_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-223
数量：
 2601  
说明：
 MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
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NDT456P_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：70 ns
上升时间：65 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：70 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.026 Ohms
漏极连续电流：+/- 7.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDT456P_Q的详细信息，包括NDT456P_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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