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NDB6030PL

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 99
说明：: MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDB6030PL PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：NDB6030PL_NL
典型关闭延迟时间：50 ns
工厂包装数量：800
上升时间：60 ns
功率耗散：75 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：52 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.037 Ohms
漏极连续电流：- 30 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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