MTY100N10E

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-264-3,TO-264AA
数量:
 1512  
说明:
 MOSFET N-CH 100V 100A TO-264
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MTY100N10E PDF参数资料

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中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫欧 @ 50A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)100V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs378nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 10640pF @ 25V
功率 - 最大300W
安装类型通孔

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