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中文参数如下:
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封装封装/外壳:ISOPLUS-DIL?
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14400pF @ 38V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):155nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 275μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.3 毫欧 @ 100A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):255A(Tc)
漏源电压(Vdss):75V
FET 功能:-
配置:6 N-沟道(3 相桥)
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:IXYS
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