点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)60V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 770pF @ 25V
功率 - 最大60W
安装类型表面贴装
以上是MTD2955VT4的详细信息，包括MTD2955VT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!
