MTB30P06VT4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 D2PAK
数量:
 747  
说明:
 MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm
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MTB30P06VT4G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:98 ns
工厂包装数量:800
上升时间:25.9 ns
功率耗散:3 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :7.9 S
下降时间:52.4 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.08 Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:+/- 15 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是MTB30P06VT4G的详细信息,包括MTB30P06VT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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