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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):63W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):184 pF @ 1000 V
Vgs(最大值):+23V,-10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):11 nC @ 20 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.25V @ 100μA(标准)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):940 毫欧 @ 2.5A,20V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Tc)
漏源电压(Vdss):1700 V
技术:SiCFET(碳化硅)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Microchip Technology
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