MMBT2222_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-523
数量：: 2871
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

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MMBT2222_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：150 mW
集电极连续电流：0.6 A
封装形式：SOT-523
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：35 at 0.1 mA at 10 V
最大直流电集电极电流：0.6 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：30 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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