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中文参数如下：
工厂包装数量：500
最小工作温度：- 55 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：100
包装形式：Bulk
封装形式：TO-225
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：40 W
最大集电极截止电流：100 uA
最大直流电集电极电流：4 A
集电极—基极电压 VCBO：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：达林顿晶体管
制造商：ON Semiconductor
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