MJD117G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 DPAK
数量:
 3726  
说明:
 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
MJD117G-DPAK图片

MJD117G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
供应商器件:
封装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
安装类型:表面贴装型
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
频率 - 跃迁:25MHz
功率 - 最大值:1.75 W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V
电流 - 集电极截止(最大值):20μA
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):3V @ 40mA,4A
电压 - 集射极击穿(最大值):100 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A
晶体管类型:PNP - 达林顿
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:onsemi

以上是MJD117G的详细信息,包括MJD117G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • MJD117ITU图片

    MJD117ITU

    两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Darlington

  • MJD117RLG图片

    MJD117RLG

    达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 2A 100V TR

  • MJD117T4图片

    MJD117T4

    达林顿晶体管 PNP Power Darlington

  • MJD117T4G图片

    MJD117T4G

    达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power PNP

  • 暂无电子元件图

    MJD122

    达林顿晶体管 8A 100V Bipolar

  • MJD122-1图片

    MJD122-1

    达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector

  • MJD122G图片

    MJD122G

    达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN

  • MJD122T4图片

    MJD122T4

    达林顿晶体管 NPN Power Darlington

  • MJD122T4G图片

    MJD122T4G

    达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN

  • 暂无电子元件图

    MJD122TF

    达林顿晶体管 NPN Sil Darl Trans

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC