MGSF1P02LT1

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中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 1.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs-
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C750mA
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 130pF @ 5V
功率 - 最大400mW
安装类型表面贴装

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