MCB30P1200LB-TRR

厂家：: IXYS
封装：: 9-SMPD-B
数量：: 4050
说明：: MCB30P1200LB-TRR

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MCB30P1200LB-TRR PDF参数资料

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中文参数如下：
：
封装封装/外壳：9-PowerSMD
安装类型：表面贴装型
工作温度：-
功率 - 最大值：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：-
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：4 N 沟道（半桥）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：在售
包装：MCB30P1200LB
系列：卷带（TR）
品牌：IXYS

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