LP211DR

厂家:
  Texas Instruments
封装:
 8-SOIC
数量:
 7362  
说明:
 校验器 IC Single Low-Power Strobed Differential
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LP211DR PDF参数资料

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中文参数如下:
封装安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
工作温度:-25°C ~ 85°C
滞后:-
传播延迟(最大值):-
CMRR,PSRR(典型值):-
电流 - 静态(最大值):300μA
电流 - 输出(典型值):-
电流 - 输入偏置(最大值):0.1μA @ ±15V
电压 - 输入补偿(最大值):7.5mV @ ±15V
电压 - 供电,单/双?(±):3.5V ~ 30V,±1.75V ~ 15V
输出类型:开路集电极,开路发射极
元件数:1
类型:差分
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:Texas Instruments

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