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LND01K1-G

厂家：
  Microchip Technology
封装：
 SOT-23-5
数量：
 4767  
说明：
 MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
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LND01K1-G PDF参数资料

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中文参数如下：
：-25°C ~ 125°C（TJ）
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
FET 功能：耗尽模式
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：46 pF @ 5 V
Vgs（最大值）：+0.6V，-12V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.4 欧姆 @ 100mA，0V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Tj）
漏源电压（Vdss）：9 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Microchip Technology

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