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LN100LA-G

厂家：: Microchip Technology
封装：: 6-LFGA（3x3）
数量：: 8739
说明：: MOSFET 2N-CH 1200V

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：6-VFLGA
安装类型：表面贴装型
工作温度：-25°C ~ 125°C（TJ）
功率 - 最大值：350mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 10μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3000 欧姆 @ 2mA，2.8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：-
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
FET 功能：-
配置：2 N-沟道（级联）
技术：MOSFET（金属氧化物）
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Microchip Technology

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