KST5551MTF_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOT-23
数量：: 8181
说明：: 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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KST5551MTF_Q PDF参数资料

中文参数如下：

包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：350 mW
直流电流增益 hFE 最大值：250
集电极连续电流：0.6 A
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：80
增益带宽产品fT：300 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
集电极—射极饱和电压：160 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：160 V
集电极—基极电压 VCBO：180 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

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