KSP8599CTA_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 7641  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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KSP8599CTA_Q PDF参数资料

中文参数如下:

包装形式:Ammo
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
集电极连续电流:- 0.5 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 1 mA at 5 V
增益带宽产品fT:150 MHz
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—射极饱和电压:- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 60 V
集电极—基极电压 VCBO:- 60 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

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