KSP76BU_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 7587  
说明:
 达林顿晶体管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington
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KSP76BU_Q-TO-92图片

KSP76BU_Q PDF参数资料

中文参数如下:

直流集电极/Base Gain hfe Min:10000
集电极连续电流:- 0.5 A
包装形式:Bulk
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:625 mW
最大集电极截止电流:0.1 uA
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—基极电压 VCBO:50 V
发射极 - 基极电压 VEBO:10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是KSP76BU_Q的详细信息,包括KSP76BU_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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