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KSP12BU_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-92
数量：
 7245  
说明：
 达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
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KSP12BU_Q-TO-92图片

KSP12BU_Q PDF参数资料

中文参数如下：

直流集电极/Base Gain hfe Min：20000
包装形式：Bulk
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：625 mW
最大集电极截止电流：0.1 uA
发射极 - 基极电压 VEBO：10 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是KSP12BU_Q的详细信息，包括KSP12BU_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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