KSB811GBU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-92S
数量：: 4635
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil

一、本商品被浏览0次.

KSB811GBU PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
供应商器件：
封装封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 短体
安装类型：通孔
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：110MHz
功率 - 最大值：350 mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，1V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，1A
电压 - 集射极击穿（最大值）：25 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A
晶体管类型：PNP
产品状态：停产
包装：-
系列：散装
品牌：onsemi

以上是KSB811GBU的详细信息，包括KSB811GBU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：