KSB1017RTU

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: TO-220F
数量：: 3672
说明：: 两极晶体管 - BJT DISC BY MFG 2/02

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KSB1017RTU PDF参数资料

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中文参数如下：

包装形式：Rail
最大功率耗散：25000 mW
封装形式：TO-220F
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：40
增益带宽产品fT：9 MHz
最大直流电集电极电流：4 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 80 V
集电极—基极电压 VCBO：- 80 V
晶体管极性：PNP
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

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